Sion™

Detector RF pentru detectarea arcului plasmatic și controlul punctului final

Reducerea pierderilor de wafer, îmbunătățirea randamentelor și creșterea timpului de funcționare
Formarea arcului în timpul procesării cu plasmă poate duce la deteriorarea țintei și a camerei, ceea ce duce la deteriorarea substratului și la crearea de particule. Pe măsură ce dimensiunile caracteristicilor scad, dispozitivele microelectronice devin din ce în ce mai susceptibile la deteriorarea indusă de arc. Formarea arcului poate apărea în orice proces asistat de plasmă, cum ar fi depunerea fizică din vapori ionizată (iPVD), depunerea chimică din vapori îmbunătățită prin plasmă (PECVD) și gravarea. Detectorul de arc INFICON Sion oferă o primă linie de apărare crucială. Sion face posibilă detectarea rapidă a microarcurilor și reacționarea la acestea înainte de apariția unor deteriorări semnificative sau a unor resturi. Sistemul oferă detectarea și analiza în timp real a evenimentelor de microarcare plasmatică.

Detectorul RF Sion™ vă oferă, de asemenea, un control mai strict și randamente mai mari în procesele de depunere chimică din vapori (CVD) și gravare, prin determinarea fiabilă și precisă a punctului final de curățare a camerei. Un punct final mai precis înseamnă niveluri mai scăzute de particule pe wafer și mai mult timp între ciclurile de întreținere preventivă.

Oferind o serie de avantaje față de controlerele bazate pe spectrometrie de emisie optică (OES), Sion funcționează cu sistemul de integrare și analiză FabGuard® pentru a crește randamentul și a reduce timpul și materialele risipite care rezultă din subgravarea sau supragravarea curățării camerei.